更新时间：2023-01-05 18:30
多层单元（英语：multi-level cell，缩写MLC）是一种存储多个比特信息的存储器组件。
多层单元（MLC）闪存是在每个单元可以存储两位数据。相比于单层单元（SLC）闪存，其成本要低，这使得它是消费级固态存储的可取选择。MLC的缺点是比特误差率比SLC要高，那是因为它误读单元状态的机率大。
多层单元闪存，这种快速发展的技术出现将以往廉价的固态存储可以应用到企业级关键应用中，从而在价格和性能之间达成某种平衡。不过虽然闪存打开了这片市场，基于主机的存储作为后继者，采用直连存储这种创新方式亦进入了市场。
MLC闪存的主要好处是较高的数据密度带来的较低单元存储成本，而存储器读取软件可以补偿更大的比特误码率。更高的错误率需要前向纠错（ECC）来纠正多个比特错误。例如，SandForceSF-2500闪存控制器可以纠正每个512字节扇区中最多55比特，从而使不可恢复读错误的发生率低于每读写10比特时一个扇区。最常被使用的算法是BCH码。与SLC闪存相比，MLC NAND的其他缺点是较低的写入速度、较低的编程擦除周期数和更高的功耗。
有少数存储器设备走向另一个方向，为每个比特使用两个单元，从而得到更低的误码率。Intel 8087使用每个单元两个比特的技术，并是首个在1980年于市场上使用多层ROM单元的设备。一些固态磁盘使用MLC NAND中的部分晶粒模拟为单比特的SLC NAND，从而提供更高的写入速度。
三星集团宣布了每个单元（cell）存储三比特信息的一种NAND闪存，具有共8种电压状态。这也称之为三层单元（Triple Level Cell，缩写TLC），首次应用于840系列SSD。三星将这项技术称之为3比特MLC。基于NAND存储器的闪迪 X4闪存存储卡在每个晶体管中使用16个离散电荷电平（状态）在每个单元存储四比特。MLC的缺点在TLC上同样存在并更为突出，但TLC也受益于更高的存储密度和更低的成本。
闪存将数据存储在浮栅晶体管制成的各存储单元中。在传统上，每个单元有两种可能的状态，因此每个单元中存储一个比特数据的称之为单层单元，或者SLC闪存。SLC存储器具有高写入速度、低功耗、更长电池耐久的优点。但是，因为SLC存储器比MLC存储器在每个单元中存储的数据更少，它存储每兆字节的成本更高。由于更快的传输速度和更长使用寿命，SLC闪存技术更常被用于制造高性能存储卡。2016年2月的一项研究表示，SLC与MLC的可靠性在实践中几乎没有差异。